Snabb termisk glödgningsmottagare
Semixlabs snabbvärmebaserade RTA-susceptor (Rapid Thermal Annealing) är en kritisk RTP-komponent konstruerad för att ge stabil och enhetlig termisk prestanda under högtemperatur, kortvariga halvledarprocesser. Susceptorn är tillverkad av ultraren grafit och skyddad av en inert kiselkarbid (SiC)-beläggning, vilket säkerställer utmärkt värmefördelning, motståndskraft mot termisk chock och minskad partikelgenerering. Den är utformad för att stödja avancerade RTP-applikationer som dopantaktivering, silicidbildning och dielektrisk glödgning. Vi välkomnar dina förfrågningar.
BESKRIVNING
I avancerade halvledarprocesser spelar Rapid Thermal Processing (RTP) en avgörande roll för att uppnå exakt termisk kontroll för dopningsaktivering, silicidbildning och dielektrisk glödgning. I hjärtat av varje RTA-system fungerar Rapid Thermal Annealing Susceptor som det viktigaste termiska gränssnittet mellan värmekällan och kiselskivor, vilket direkt påverkar temperaturuniformitet och processstabilitet. Semixlabs RTA-susceptor är konstruerad för högtemperatur, kortvarig termisk cykling, vilket säkerställer konsekvent och repeterbar värmeöverföring under de snabba uppvärmnings- och kylningsförhållanden som är vanliga i avancerade Rapid Thermal Processing (RTP)-tekniker.
Semixlabs SiC-belagda grafitmottagare är tillverkad av ultraren grafit, vilket ger exceptionell värmeledningsförmåga och kontrollerad termisk massa för snabb temperaturrespons samtidigt som termisk fördröjning minimeras. Grafitsubstratet är belagt med ett inert kiselkarbid (SiC) skyddande lager som förbättrar ytstabiliteten, undertrycker partikelgenerering och avsevärt förbättrar motståndskraften mot termisk chock, oxidation och kemisk korrosion.
I RTP-processer spelar RTA-susceptorn en avgörande roll för att stabilisera det termiska fältet över waferns yta. Genom att effektivt absorbera strålningsenergi och jämnt återutsända den minimerar susceptorn temperaturgradienter både inom och mellan wafers. Denna jämnhet är avgörande för att uppnå exakt kontroll över tunnfilmsresistiviteten under jonimplantationsaktivering, bibehålla fasstabilitet under metallsilicidbildning och förhindra ojämn filmspänning under dielektrisk glödgning.
Semixlabs Wafer Heating Susceptor är optimerad för kompatibilitet med vanliga RTP- och RTA-utrustningsplattformar och stöder både 200 mm och 300 mm waferstorlekar. Dess SiC-belagda yta uppvisar låg avgasning och utmärkt emissivitetsstabilitet under upprepade termiska cykler, vilket hjälper till att upprätthålla exakt temperaturkalibrering och minska utrustningens driftstopp på grund av kontaminering eller underhåll.
Ur ett tillverkningsperspektiv är Semixlabs Rapid Thermal Annealing Susceptor en kritisk processkomponent som påverkar elektrisk enhetlighet, defektfrekvenser och utrustningens totala effektivitet (OEE). Genom att integrera högrena material, beprövad beläggningsteknik och processorienterad design levererar Semixlab en avancerad RTA-substratlösning som säkerställer stabil termisk prestanda, minimerar risker för partikelkontaminering och uppnår långsiktig processstabilitet. Ännu viktigare är att Semixlab har åtagit sig att tillhandahålla banbrytande teknik och anpassade RTA-susceptorlösningar för halvledarprocesser med RTP. Vi ser verkligen fram emot att bli er långsiktiga partner i Kina.
Våra tjänster

Semixlab Produktbutik


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





