Silicon Carbide Keramiska Wafer Båt

Silicon Carbide Ceramic Wafer Boat är ett högpresterande bärverktyg designat för halvledartillverkning och fotovoltaisk energiprocess. Den är gjord av högrent kiselkarbid (SiC) keramiskt material, som är tillverkat genom avancerad pressfri sintringsprocess. Den har utmärkt högtemperaturbeständighet, kemisk stabilitet och mekanisk hållfasthet, och blir kärnan förbrukningsmaterial i wafertransmission, högtemperaturglödgning och andra precisionsprocesser.

1. Stabilitet i extrema miljöer

Den molekylära strukturen hos sic keramer ger den ultrahög termisk stabilitet, vilket kan bibehålla sin strukturella integritet i en kontinuerlig högtemperaturmiljö på 1650°C. Jämfört med konventionella kvarts- eller aluminiumoxidmaterial är den termiska expansionskoefficienten för sic-båtar mycket låg (endast 4.5×10)^-6/°C), vilket effektivt undviker deformation eller sprickbildning orsakad av plötsliga temperaturförändringar. Vid halvledartillverkning kan denna egenskap avsevärt minska skivans förskjutningsavvikelse i högtemperaturprocessen och förbättra utbytet.

2. Oöverträffad korrosionsbeständighet

Kiselkarbidkeramer visar stark resistens mot starka syror (såsom fluorvätesyra, svavelsyra), starka baser och oxiderande gaser (Cl1400, OXNUMX). Även i svavel- eller halogenatmosfär vid XNUMX°C förblir ytan slät och korrosionsfri, vilket säkerställer att ingen förorening finns kvar på skivans yta.

3. Lång livslängd och ekonomiska fördelar

Genom den unika ytförtätningsbehandlingsprocessen är slitstyrkan hos kiselkarbidbåten mer än 15 gånger högre än för traditionella material. Det faktiska testet visar att efter 1000 cykler i 1400°C oxidationsatmosfär är ytjämnheten fortfarande lägre än 0.2 μm Ra, och omsättningstiderna kan nå 5-8 gånger den för vanliga keramiska båtar, vilket avsevärt minskar frekvensen av utrustningsavstängning och utbyte, och besparingen är över 30 %.

Snabb specificerar:

1. Andra namn: kiselkarbidkristallbåt, halvledarkeramisk bärare.

2. Användning: Används i högtemperaturdiffusions-, oxidations- och glödgningsprocesser i halvledartillverkning för att bära kiselskivor och säkerställa enhetlig värmefördelning.

3. Kärnparametrar: renhet ≥99.99%, maximal temperaturbeständighet på 1500 ℃, låg termisk expansionskoefficient (4.5×10-6/℃), stark värmechockbeständighet.

Högtemperaturvärmebehandling av halvledarskivor (oxidation, glödgning, dopning). 

Fotovoltaisk industri waferbeläggning och sintring.

Ultrahög temperaturstabilitet: långvarig motståndskraft mot 1500°C hög temperatur, ingen deformation eller prestandadämpning.

Design med låg förorening: material med hög renhet + icke-vidhäftande process, undvik metalljonförorening.

Lång livslängd: utmärkt motståndskraft mot termisk stöt, längre livslängd än kvartsbärare 3-5 gånger.

Flexibel anpassning: stödstorlek, spåravstånd, djupanpassning av ytbehandling.